Agregar a favoritos
SIR880DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 80V 60 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.18000 $3.18
10 2.88300 $28.83
100 2.33390 $233.39
500 1.83546 $917.73
1,000 1.53635 $1,536.35
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIR880DP-T1-GE3CT-ND
Copiar   SIR880DP-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SIR880DP-T1-GE3

Copiar   SIR880DP-T1-GE3
Descripción MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Copiar   MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 60 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) PowerPAK® SO-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 80V 60 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Documentos y medios
Hojas de datos SIR880DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado ThunderFETs
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.9 mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2440pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • JANTX1N5811US - Microsemi Corporation | 1086-2485-ND DigiKey Electronics
  • JANTX1N5811US
  • Microsemi Corporation
  • DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
  • Precio unitario $12.40000
  • 1086-2485-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIR880DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIR880DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.39480
  • Digi-Reel® ? : SIR880DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

20:00:37 3/21/2019