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SIR872DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 150V 53.7 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIR872DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIR872DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 53.7 A (Tc) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SIR872DP-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 53.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 18 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2130pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIR872DP-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.39000 $3.39
10 3.06300 $30.63
100 2.46100 $246.10
500 1.91408 $957.04
1,000 1.58596 $1,585.96
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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08:28:33 9/25/2018