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SIR836DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 21 A (Tc) 3.9 W (Ta), 15.6 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIR836DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIR836DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 21 A (Tc) 3.9 W (Ta), 15.6 W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SIR836DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 600pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.9 W (Ta), 15.6 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIR836DP-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.99000 $0.99
10 0.87100 $8.71
100 0.67160 $67.16
500 0.49750 $248.75
1,000 0.39799 $397.99

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIR836DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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12:37:22 9/18/2018