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SIR800DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 50 A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) PowerPAK® SO-8
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIR800DP-T1-GE3TR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIR800DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 50 A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.3mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 133nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5125pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $3.28000
  • 296-29536-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres SIR800DP-T1-GE3TR
SIR800DPT1GE3
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta cortada (CT) ? : SIR800DP-T1-GE3CT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,798 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.85000
  • Digi-Reel® ? : SIR800DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,798 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

15:10:49 5/24/2019