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SIR426DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 30 A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) PowerPAK® SO-8
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1 1.22000 $1.22
10 1.08500 $10.85
100 0.86370 $86.37
500 0.67672 $338.36
1,000 0.54075 $540.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIR426DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIR426DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 30 A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SIR426DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Wafer Site 12/Sep/2018
Modelos EDA/CAD SIR426DP-T1-GE3 by SnapEDA
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1160pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIR426DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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19:52:43 4/19/2019