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SIR426DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 30 A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) PowerPAK® SO-8
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10 0.88500 $8.85
25 0.84000 $21.00
100 0.63000 $63.00
500 0.53400 $267.00
1,000 0.43500 $435.00
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  • Cinta y rollo (TR)  : SIR426DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Precio unitario: $0.42900
  • Digi-Reel®  : SIR426DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,976 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SIR426DP-T1-GE3

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Número de pieza de Digi-Key SIR426DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIR426DP-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 30 A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1160pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Número de pieza base SIR426
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SIR426DP-T1-GE3CT