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SIR424DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 30 A (Tc) 4.8 W (Ta), 41.7 W (Tc) PowerPAK® SO-8
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10 0.94800 $9.48
100 0.74950 $74.95
500 0.58122 $290.61
1,000 0.45887 $458.87
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIR424DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIR424DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 30 A (Tc) 4.8 W (Ta), 41.7 W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SIR424DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.5 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1250pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 4.8 W (Ta), 41.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIR424DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIR424DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
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  • Digi-Reel® ? : SIR424DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,073 - Inmediata
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16:09:24 11/17/2018