Agregar a favoritos
SIR422DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 40 A (Tc) 5 W (Ta), 34.7 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.35000 $1.35
10 1.19400 $11.94
100 0.94380 $94.38
500 0.73192 $365.96
1,000 0.57783 $577.83
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIR422DP-T1-GE3CT-ND
Copiar   SIR422DP-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 19,337
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SIR422DP-T1-GE3

Copiar   SIR422DP-T1-GE3
Descripción MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Copiar   MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 40 A (Tc) 5 W (Ta), 34.7 W (Tc) PowerPAK® SO-8

Copiar   Canal N Montaje en superficie 40V 40 A (Tc) 5 W (Ta), 34.7 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Documentos y medios
Hojas de datos SIR422DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.6 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1785pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5 W (Ta), 34.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SIJ478DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SIJ478DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SIJ478DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  • Precio unitario $1.88000
  • SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
  • SBR0560S1-7 - Diodes Incorporated | SBR0560S1DICT-ND DigiKey Electronics
  • SBR0560S1-7
  • Diodes Incorporated
  • DIODE SBR 60V 500MA SOD123
  • Precio unitario $0.53000
  • SBR0560S1DICT-ND
  • SI7145DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7145DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7145DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Precio unitario $2.60000
  • SI7145DP-T1-GE3CT-ND
  • DFLS160-7 - Diodes Incorporated | DFLS160DICT-ND DigiKey Electronics
  • DFLS160-7
  • Diodes Incorporated
  • DIODE SCHOTTKY 60V 1A POWERDI123
  • Precio unitario $0.50000
  • DFLS160DICT-ND
  • LTC3789EGN#PBF - Linear Technology/Analog Devices | LTC3789EGN#PBF-ND DigiKey Electronics
  • LTC3789EGN#PBF
  • Linear Technology/Analog Devices
  • IC REG CTRLR BUCK-BOOST 28SSOP
  • Precio unitario $9.74000
  • LTC3789EGN#PBF-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIR422DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIR422DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.52360
  • Digi-Reel® ? : SIR422DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19,337 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

06:20:45 12/11/2018