Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP8N50D-GE3-ND
Cantidad disponible 833
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP8N50D-GE3

Descripción MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 8.7 A (Tc) 156 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos SIHP8N50D
Packaging Information
TO-220AB Package Drawing
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 850 mOhm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 527pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

00:57:35 8/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.63000 $1.63
10 1.44400 $14.44
100 1.14110 $114.11
500 0.88492 $442.46
1,000 0.69863 $698.63

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario