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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP7N60E-GE3-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP7N60E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 7 A (Tc) 78 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos SIHP7N60E
Packaging Information
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Assembly Site Add 13/Jan/2017
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 3.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 680pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 78 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHP7N60EGE3

17:13:49 8/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.41000 $2.41
10 2.17400 $21.74
100 1.74660 $174.66
500 1.35844 $679.22
1,000 1.12556 $1,125.56

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