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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP25N50E-GE3-ND
Cantidad disponible 1,978
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHP25N50E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 26 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1980pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

06:39:27 6/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.71000 $3.71
10 3.31500 $33.15
100 2.71820 $271.82
500 2.20108 $1,100.54
1,000 1.85633 $1,856.33

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