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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.31000 $6.31
10 5.63800 $56.38
100 4.62280 $462.28
500 3.74330 $1,871.65
1,000 3.15700 $3,157.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP24N65E-GE3-ND
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Cantidad disponible 40
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHP24N65E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Copiar   MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 24 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHG24N65E
Packaging Information
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Assembly Site Add 13/Jan/2017
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2740pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  • Precio unitario $6.31000
  • SIHP24N65E-E3-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-ND

17:34:26 10/23/2018