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SIHP12N60E-GE3 Canal N Orificio pasante 600V 12 A (Tc) 147 W (Tc) TO-220AB
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1 2.97000 $2.97
50 2.39260 $119.63
100 2.15330 $215.33
500 1.67476 $837.38
1,000 1.38765 $1,387.65
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHP12N60E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHP12N60E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 12 A (Tc) 147 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos SiHF12N60E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Assembly Site Add 13/Jan/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 937pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 147 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SIHP12N60E-GE3CT
SIHP12N60E-GE3CT-ND

00:11:07 12/12/2018