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SIHG80N60E-GE3 Canal N Orificio pasante 600V 80 A (Tc) 520W (Tc) TO-247AC
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1 13.67000 $13.67
10 12.48000 $124.80
100 10.68920 $1,068.92
500 9.19708 $4,598.54
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG80N60E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHG80N60E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 80 A (Tc) 520W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHG80N60E
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 443nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6900pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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12:08:17 4/20/2019