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SIHG24N65E-GE3 Canal N Orificio pasante 650V 24 A (Tc) 250 W (Tc) TO-247AC
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1 6.78000 $6.78
10 6.05000 $60.50
100 4.96100 $496.10
500 4.01720 $2,008.60
1,000 3.38800 $3,388.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG24N65E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHG24N65E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 24 A (Tc) 250 W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHG24N65E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Mult Devices 18/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2740pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  • Precio unitario $6.93000
  • SIHG24N65EF-GE3-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

00:07:18 10/24/2018