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SIHG22N60E-GE3 Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 227 W (Tc) TO-247AC
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.93000 $4.93
10 4.40000 $44.00
100 3.60800 $360.80
500 2.92160 $1,460.80
1,000 2.46400 $2,464.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG22N60E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHG22N60E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 227 W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHG22N60E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Mult Devices 18/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1920pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 227 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
  • Precio unitario $4.93000
  • SIHG22N60E-E3-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

05:21:15 10/22/2018