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SIHG20N50C-E3 Canal N Orificio pasante 500V 20 A (Tc) 250 W (Tc) TO-247AC
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.36000 $3.36
10 2.99800 $29.98
100 2.45800 $245.80
500 1.99034 $995.17
1,000 1.67860 $1,678.60
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHG20N50C-E3-ND
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Cantidad disponible 16,099
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHG20N50C-E3

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Descripción MOSFET N-CH 500V 20A TO247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 20 A (Tc) 250 W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHG20N50C
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs
Ensamble/origen de PCN SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014
Mult Devices 18/Aug/2017
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 270 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 76nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2942pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
  • Precio unitario $2.71000
  • SI7450DP-T1-E3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SIHG20N50CE3

10:00:23 11/13/2018