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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHF22N65E-GE3-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHF22N65E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 22 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220 paquete completo

Documentos y medios
Hojas de datos SIHF22N65E
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Mult Devices 18/Jul/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2415pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHF22N65E-GE3CT
SIHF22N65E-GE3CT-ND

06:05:59 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1,000 2.71040 $2,710.40

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