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SIHF22N60E-GE3 Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220 paquete completo
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1 4.47000 $4.47
50 3.58880 $179.44
100 3.26980 $326.98
500 2.64770 $1,323.85
1,000 2.23300 $2,233.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHF22N60E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHF22N60E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 600V 21A TO220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220 paquete completo

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHF22N60E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Mult Devices 18/Jul/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1920pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SIHF22N60E-GE3CT
SIHF22N60E-GE3CT-ND

10:23:17 12/19/2018