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SIHF10N40D-E3 Canal N Orificio pasante 400V 10 A (Tc) 33 W (Tc) TO-220 paquete completo
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100 1.32320 $132.32
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHF10N40D-E3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHF10N40D-E3

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Descripción MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 400V 10 A (Tc) 33 W (Tc) TO-220 paquete completo

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Documentos y medios
Hojas de datos SiHF10N40D
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Jul/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 526pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 33 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHF10N40DE3

21:48:49 10/18/2018