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SIHB35N60EF-GE3 Canal N Montaje en superficie 600V 32 A (Tc) 250 W (Tc) D²PAK (TO-263)
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Cantidad
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1 7.36000 $7.36
10 6.57100 $65.71
100 5.38850 $538.85
500 4.36340 $2,181.70

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB35N60EF-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHB35N60EF-GE3

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Descripción MOSFET N-CH D2PAK TO-263
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 32 A (Tc) 250 W (Tc) D²PAK (TO-263)

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHB35N60EF
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie EF
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 97 mOhm a 17 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 134nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2568pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIHB35N60EF-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIHB35N60EF-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $3.57280
  • Digi-Reel® ? : SIHB35N60EF-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:11:09 12/15/2018