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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB33N60EF-GE3-ND
Cantidad disponible 2,980
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHB33N60EF-GE3

Descripción MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 33 A (Tc) 278 W (Tc) D²PAK (TO-263)

Documentos y medios
Hojas de datos SIHB33N60EF
Notas de aplicación Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 155nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3454pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 16.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

03:14:49 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.15000 $7.15
10 6.43500 $64.35
100 5.29100 $529.10
500 4.43300 $2,216.50
1,000 3.86100 $3,861.00

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