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SIHB12N65E-GE3 Canal N Montaje en superficie 650V 12 A (Tc) 156 W (Tc) D²PAK (TO-263)
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100 2.34360 $234.36
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHB12N65E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHB12N65E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 12 A (Tc) 156 W (Tc) D²PAK (TO-263)

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Documentos y medios
Hojas de datos 09644147236, 37Drawing
SIHB12N65E-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1224pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHB12N65E-GE3CT
SIHB12N65E-GE3CT-ND

14:07:10 10/18/2018