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SIHA6N80E-GE3 Canal N Orificio pasante 800V 5.4 A (Tc) 31 W (Tc) TO-220 paquete completo
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1 2.76000 $2.76
10 2.49200 $24.92
100 2.00230 $200.23
500 1.55732 $778.66
1,000 1.29036 $1,290.36
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHA6N80E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHA6N80E-GE3

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Descripción MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 5.4 A (Tc) 31 W (Tc) TO-220 paquete completo

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHA6N80E
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 940 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 827pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 31 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

04:09:05 10/19/2018