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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHA6N65E-E3-ND
Cantidad disponible 678
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIHA6N65E-E3

Descripción MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 7 A (Tc) 31 W (Tc) TO-220 paquete completo

Documentos y medios
Hojas de datos SIHA6N65E
Ensamble/origen de PCN SIHAYYY 12/May/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie E
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 31 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

16:54:45 8/14/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.34000 $2.34
10 2.11200 $21.12
100 1.69740 $169.74
500 1.32020 $660.10
1,000 1.09388 $1,093.88

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