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SIHA22N60AEL-GE3 Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220 paquete completo
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.31000 $4.31
10 3.85000 $38.50
100 3.15700 $315.70
500 2.55640 $1,278.20
1,000 2.15600 $2,156.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHA22N60AEL-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHA22N60AEL-GE3

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Descripción MOSFET N-CHAN 600V
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Plazo estándar del fabricante 46 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 21 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220 paquete completo

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHA22N60AEL
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie EL
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1757pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SIHA22N60AEL-GE3CT
SIHA22N60AEL-GE3CT-ND

17:29:01 12/12/2018