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SIHA12N50E-E3 Canal N Orificio pasante 500V 10.5 A (Tc) 32 W (Tc) TO-220 paquete completo
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIHA12N50E-E3-ND
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Cantidad disponible 507
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIHA12N50E-E3

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Descripción MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 10.5 A (Tc) 32 W (Tc) TO-220 paquete completo

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Documentos y medios
Hojas de datos SIHA12N50E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIHAYYY 12/May/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 886pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 32 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.17000 $2.17
10 1.96400 $19.64
100 1.57840 $157.84
500 1.22762 $613.81
1,000 1.01718 $1,017.18

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00:02:50 9/23/2018