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SIB452DK-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 190V 1.5 A (Tc) 2.4 W (Ta), 13 W (Tc) PowerPAK® SC-75-6L simple
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10 0.79300 $7.93
100 0.61180 $61.18
500 0.45320 $226.60
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIB452DK-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SIB452DK-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 190V 1.5 A (Tc) 2.4 W (Ta), 13 W (Tc) PowerPAK® SC-75-6L simple

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Documentos y medios
Hojas de datos SIB452DK
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 190V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.4 Ohm a 500 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 135pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.4 W (Ta), 13 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-75-6L simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-75-6L
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIB452DK-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIB452DK-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.31900
  • Digi-Reel® ? : SIB452DK-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19,310 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

12:41:44 12/16/2018