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SIB404DK-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 12V 9 A (Tc) 2.5 W (Ta), 13 W (Tc)
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1 0.73000 $0.73
10 0.61200 $6.12
100 0.45890 $45.89
500 0.33650 $168.25
1,000 0.26002 $260.02
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIB404DK-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 2,059
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIB404DK-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 12V 9 A (Tc) 2.5 W (Ta), 13 W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SIB404DK-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19 mOhm a 3 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 800 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±5 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 13 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-75-6L
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIB404DK-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIB404DK-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.23018

18:47:15 12/9/2018