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SIA975DJ-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 12 V 4.5 A 7.8 W Montaje en superficie PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA975DJ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIA975DJ-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 12 V 4.5 A 7.8 W Montaje en superficie PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA975DJ
Diseño/especificación de PCN SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 4.3 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC a 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500 pF a 6 V
Potencia máxima 7.8 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de pieza base SIA975
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA975DJ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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23:18:44 11/13/2018