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SIA921EDJ-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal P (doble) 20V 4.5A 7.8W Montaje en superficie PowerPAK® SC-70-6 Dual
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10 0.52800 $5.28
25 0.49600 $12.40
100 0.36000 $36.00
250 0.34720 $86.80
500 0.30080 $150.40
1,000 0.25600 $256.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SIA921EDJ-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,956 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SIA921EDJ-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIA921EDJ-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal P (doble) 20V 4.5A 7.8W Montaje en superficie PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA921EDJ
Diseño/especificación de PCN SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Hoja de datos de HTML SIA921EDJ
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 59mOhm a 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Potencia máxima 7.8W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de pieza base SIA921
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SIA921EDJ-T1-GE3CT