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SIA817EDJ-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 4.5 A (Tc) 1.9 W (Ta), 6.5 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIA817EDJ-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 4.5 A (Tc) 1.9 W (Ta), 6.5 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA817EDJ
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Diseño/especificación de PCN SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie LITTLE FOOT®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 600pF @ 15V
Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (máx.) 1.9 W (Ta), 6.5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6 Dual
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA817EDJ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIA817EDJ-T1-GE3TR-ND
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10:00:50 10/22/2018