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SIA483DJ-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA483DJ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIA483DJ-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA483DJ
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado 12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1550pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA483DJ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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16:19:07 11/20/2018