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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 19,094
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIA456DJ-T1-GE3

Descripción MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 2.6 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

Documentos y medios
Hojas de datos SIA456DJ
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.38 Ohm a 750 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA456DJ-T1-GE3CT

22:26:02 8/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.12000 $1.12
10 0.99100 $9.91
100 0.78350 $78.35
500 0.60764 $303.82
1,000 0.47972 $479.72

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIA456DJ-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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