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SIA456DJ-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 200V 2.6 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SIA456DJ-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 2.6 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA456DJ
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.38 Ohm a 750 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA456DJ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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13:29:23 12/9/2018