SIA453EDJ-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 24 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA453EDJ-T1-GE3CT-ND
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SIA453EDJ-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 24 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA453EDJ
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Multiple Devices 11/Dec/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 18.5 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc)
Temperatura de operación -50 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA453EDJ-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIA453EDJ-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 6,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.23686

19:20:08 12/16/2018