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SIA427DJ-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 8V 12 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA427DJ-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 27,138
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIA427DJ-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 8V 12 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA427DJ
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 8.2 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 800 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 5V
Vgs (máx.) ±5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA427DJ-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.70000 $0.70
10 0.59200 $5.92
100 0.44420 $44.42
500 0.32574 $162.87
1,000 0.25171 $251.71
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 27,138 - Inmediata
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02:51:16 9/24/2018