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SIA421DJ-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
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10 0.85600 $8.56
25 0.81200 $20.30
100 0.60900 $60.90
500 0.51620 $258.10
1,000 0.42050 $420.50
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SIA421DJ-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 27,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.41470
  • Digi-Reel®  : SIA421DJ-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 28,261 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SIA421DJ-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SIA421DJ-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIA421DJ-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Producto destacado Power MOSFETs in PowerPAK® SC-70 Package
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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 35mOhm a 5.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 950pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
Número de pieza base SIA421
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SIA421DJ-T1-GE3CT