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SIA414DJ-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 8V 12 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIA414DJ-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 11,951
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIA414DJ-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 8V 12 A (Tc) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 simple

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Documentos y medios
Hojas de datos SIA414DJ
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 9.7 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 800 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC @ 5V
Vgs (máx.) ±5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5 W (Ta), 19 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 simple
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • 490-5574-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIA414DJ-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.15000 $1.15
10 1.01700 $10.17
100 0.80400 $80.40
500 0.62350 $311.75
1,000 0.49224 $492.24

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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09:46:51 9/19/2018