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SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 60V 5.3A 3.1W Montaje en superficie 8-SO
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Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.90000 $0.90
10 0.78800 $7.88
25 0.74040 $18.51
100 0.53750 $53.75
250 0.51840 $129.60
500 0.44914 $224.57
1,000 0.38224 $382.24
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI9945BDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.35835
  • Digi-Reel®  : SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI9945BDY-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI9945BDY-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 60V 5.3A 3.1W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI9945BDY
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.3A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58mOhm a 4.3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 665pF a 15V
Potencia máxima 3.1W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI9945
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI9945BDY-T1-GE3CT