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SI9945BDY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5.3 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 19,409
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI9945BDY-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5.3 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI9945BDY
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.3 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58 mOhm a 4.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 665 pF a 15 V
Potencia máxima 3.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI9945
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI9945BDY-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.13000 $1.13
10 0.99000 $9.90
100 0.76400 $76.40
500 0.56596 $282.98
1,000 0.45277 $452.77
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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20:31:53 9/21/2018