Agregar a favoritos
SI9945BDY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5.3 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.10000 $1.10
10 0.97200 $9.72
100 0.75540 $75.54
500 0.56596 $282.98
1,000 0.45769 $457.69
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
Copiar   SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 22,168
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI9945BDY-T1-GE3

Copiar   SI9945BDY-T1-GE3
Descripción MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Copiar   MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5.3 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO

Copiar   Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 60 V 5.3 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO
Documentos y medios
Hojas de datos SI9945BDY
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.3 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58 mOhm a 4.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 665pF a 15 V
Potencia máxima 3.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI9945
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • LTC4365CTS8#TRMPBF - Linear Technology/Analog Devices | LTC4365CTS8#TRMPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • LTC4365CTS8#TRMPBF
  • Linear Technology/Analog Devices
  • IC OVERVOLTAGE PROT TSOT23-8
  • Precio unitario $3.76000
  • LTC4365CTS8#TRMPBFCT-ND
  • SI4900DY-T1-E3 - Vishay Siliconix | SI4900DY-T1-E3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI4900DY-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  • Precio unitario $1.43000
  • SI4900DY-T1-E3CT-ND
  • SQ9945BEY-T1_GE3 - Vishay Siliconix | SQ9945BEY-T1_GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SQ9945BEY-T1_GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
  • Precio unitario $1.31000
  • SQ9945BEY-T1_GE3CT-ND
  • SI4288DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI4288DY-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI4288DY-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  • Precio unitario $1.63000
  • SI4288DY-T1-GE3CT-ND
  • FDS9945 - ON Semiconductor | FDS9945CT-ND DigiKey Electronics
  • FDS9945
  • ON Semiconductor
  • MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
  • Precio unitario $0.85000
  • FDS9945CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI9945BDY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI9945BDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 20,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.40494
  • Digi-Reel® ? : SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 22,168 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

07:25:22 2/16/2019