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SI9933CDY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20V 4A 3.1W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.62000 $0.62
10 0.54400 $5.44
25 0.51080 $12.77
100 0.37080 $37.08
250 0.35760 $89.40
500 0.30982 $154.91
1,000 0.26368 $263.68
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 84,980 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.24000
  • Digi-Reel®  : SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 85,000 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI9933CDY-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI9933CDY-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20V 4A 3.1W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58mOhm a 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 665pF a 10V
Potencia máxima 3.1W
Temperatura de operación -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI9933
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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