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SI9433BDY-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 4.5 A (Ta) 1.3W (Ta) 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.98000 $0.98
10 0.86300 $8.63
100 0.67110 $67.11
500 0.50272 $251.36
1,000 0.40654 $406.54
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI9433BDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI9433BDY-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 4.5 A (Ta) 1.3W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI9433BDY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40mOhm a 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
  • Precio unitario $0.98000
  • SI9433BDY-T1-E3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI9433BDY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI9433BDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.35968
  • Digi-Reel® ? : SI9433BDY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,153 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

14:25:03 5/19/2019