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SI8800EDB-T2-E1 Canal N Montaje en superficie 20V 500 mW (Ta) 4-Microfoot
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1 0.55000 $0.55
10 0.45900 $4.59
100 0.34430 $34.43
500 0.25250 $126.25
1,000 0.19512 $195.12

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI8800EDB-T2-E1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI8800EDB-T2-E1

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Descripción MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
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Plazo estándar del fabricante 46 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 500 mW (Ta) 4-Microfoot

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Documentos y medios
Hojas de datos SI8800EDB
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 80 mOhm a 1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.3nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa) 4-XFBGA, CSPBGA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI8800EDB-T2-E1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI8800EDB-T2-E1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 54,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.17272
  • Digi-Reel® ? : SI8800EDB-T2-E1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 55,890 - Inmediata
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07:57:13 11/16/2018