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SI8497DB-T2-E1 Canal P Montaje en superficie 30V 13 A (Tc) 2.77 W (Ta), 13 W (Tc) 6-microfoot
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI8497DB-T2-E1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI8497DB-T2-E1

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Descripción MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 13 A (Tc) 2.77 W (Ta), 13 W (Tc) 6-microfoot

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Documentos y medios
Hojas de datos Si8497DB
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 53 mOhm a 1.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1320pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.77 W (Ta), 13 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-microfoot
Paquete / Caja (carcasa) 6-UFBGA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI8497DB-T2-E1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI8497DB-T2-E1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.21824

16:30:09 12/12/2018