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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI8429DB-T1-E1CT-ND
Cantidad disponible 33,650
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI8429DB-T1-E1

Descripción MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 8V 11.7 A (Tc) 2.77 W (Ta), 6.25 W (Tc) 4-Microfoot

Documentos y medios
Hojas de datos SI8429DB
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 35 mOhm a 1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 800 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC @ 5V
Vgs (máx.) ±5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.77 W (Ta), 6.25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa) 4-XFBGA, CSPBGA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI8429DB-T1-E1CT

14:35:00 8/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.24000 $1.24
10 1.10200 $11.02
100 0.87060 $87.06
500 0.67516 $337.58
1,000 0.53303 $533.03

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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