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SI8406DB-T2-E1 Canal N Montaje en superficie 20V 16 A (Tc) 2.77 W (Ta), 13 W (Tc) 6-Micro Foot™ (1.5x1)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI8406DB-T2-E1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI8406DB-T2-E1

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Descripción MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 16 A (Tc) 2.77 W (Ta), 13 W (Tc) 6-Micro Foot™ (1.5x1)

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Documentos y medios
Hojas de datos Si8406DB
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 33 mOhm a 1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 850 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 830pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.77 W (Ta), 13 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Caja (carcasa) 6-UFBGA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI8406DB-T2-E1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI8406DB-T2-E1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.23870

12:53:54 12/13/2018