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SI7998DP-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 25 A, 30 A 22 W, 40 W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7998DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7998DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 25 A, 30 A 22 W, 40 W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7998DP
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Wafer Site 12/Sep/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A, 30 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.3 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100 pF a 15 V
Potencia máxima 22 W, 40 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7998DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7998DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.70840
  • Digi-Reel® ? : SI7998DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,862 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

08:27:05 11/21/2018