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SI7998DP-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 30V 25A, 30A 22W, 40W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
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1 1.52000 $1.52
10 1.35700 $13.57
25 1.28800 $32.20
100 0.96600 $96.60
500 0.81880 $409.40
1,000 0.66700 $667.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7998DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.65780
  • Digi-Reel®  : SI7998DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6,673 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7998DP-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7998DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7998DP-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 30V 25A, 30A 22W, 40W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7998DP
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Hoja de datos de HTML SI7998DP
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 25A, 30A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.3mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF a 15V
Potencia - Máx. 22W, 40W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7998
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7998DP-T1-GE3CT