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SI7997DP-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 30 V 60 A 46 W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
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100 1.81000 $181.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7997DP-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 8,971
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7997DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 30 V 60 A 46 W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7997DP
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Multiple Devices 11/Dec/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.5 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6200 pF a 15 V
Potencia máxima 46 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7997
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7997DP-T1-GE3CT
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08:16:30 11/20/2018