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SI7994DP-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 30V 60A 46W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
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5,965 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.52000 $3.52
10 3.16500 $31.65
25 2.99240 $74.81
100 2.39400 $239.40
250 2.26100 $565.25
500 2.12800 $1,064.00
1,000 1.82210 $1,822.10
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7994DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.79550
  • Digi-Reel®  : SI7994DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,965 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7994DP-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7994DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7994DP-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 30V 60A 46W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7994DP
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3500pF a 15V
Potencia máxima 46W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7994
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI7994DP-T1-GE3CT