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SI7942DP-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 100V 3.8 A 1.4W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Precio y compra
5,725 En Stock
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.55000 $2.55
10 2.28800 $22.88
25 2.15840 $53.96
100 1.68340 $168.34
250 1.64028 $410.07
500 1.42444 $712.22
1,000 1.20862 $1,208.62
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI7942DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.19135
  • Digi-Reel®  : SI7942DP-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,725 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI7942DP-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI7942DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI7942DP-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 100V 3.8 A 1.4W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos Si7942DP
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.8 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 49mOhm a 5.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Potencia máxima 1.4W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7942
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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