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SI7852ADP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 80V 30 A (Tc) 5 W (Ta), 62.5 W (Tc) PowerPAK® SO-8
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI7852ADP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 30 A (Tc) 5 W (Ta), 62.5 W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7852ADP
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1825pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5 W (Ta), 62.5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7852ADP-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.20000 $2.20
10 1.98600 $19.86
100 1.59620 $159.62
500 1.24146 $620.73
1,000 1.02863 $1,028.63

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 10,806 - Inmediata
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16:04:10 9/20/2018