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SI7850DP-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 6.2 A (Ta) 1.8 W (Ta) PowerPAK® SO-8
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1 1.87000 $1.87
10 1.68800 $16.88
100 1.35670 $135.67
500 1.05522 $527.61
1,000 0.87433 $874.33
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI7850DP-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI7850DP-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 6.2 A (Ta) 1.8 W (Ta) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SI7850DP
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 22 mOhm a 10.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.8 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI7850DP-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI7850DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.79032
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,756 - Inmediata
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15:00:53 11/15/2018